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SiR698DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
I D = 2.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
3.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
3.2
40
3.0
2.8
2.6
30
2.4
I D = 250 μA
20
2.2
10
2.0
1.8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μs
1
1 ms
10 ms
0.1
T A = 25 ° C
100 ms
1s
10 s
0.01
BVDSS Limited
DC
0.1
1
10 100 1000
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 67918
S11-2524-Rev. A, 26-Dec-11
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